本報首爾電
全球最大存儲芯片制造商韓國三星電子公司23日宣布，公司將與德國英飛凌科技,、新加坡特許半導體,、美國IBM和飛思卡爾半導體等四家公司聯(lián)合開發(fā)新技術(shù)。
三星電子在聲明中表示,，它與其他四家企業(yè)將在2010年前聯(lián)手使用其32納米半導體制造工藝開發(fā)非存儲芯片技術(shù),。該項目將通過協(xié)同效應，打造出“高性能,、低能耗”的芯片,。
據(jù)悉,，三星在動態(tài)隨機存儲器和NAND閃存領域優(yōu)勢明顯，但在整個半導體市場(包括存儲芯片以及非存儲芯片)其收入?yún)s遠遠落后于同行英特爾,。業(yè)內(nèi)人士指出,，三星此舉將大大促進其非存儲芯片技術(shù)的發(fā)展。 |
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